Solution 03

SiC/GaNのスクライブ

Low Cost Laser Processing For SiC/GaN

――「超短パルス」だけが正解ではない。

SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などの難加工材において、常識とされていた「高価なレーザー」への依存を解消。プロセス制御の力で、汎用的な光源での高品質加工を可能にします。

Challenge: High Cost Of Ultrashort Pulse Lasers

次世代パワー半導体や高放熱基板の加工(スクライブ・ダイシング)には、熱影響を避けるために「超短パルスレーザー(ピコ秒・フェムト秒)」の使用が一般的です。しかし、これらの発振器は極めて高価であり、製品単価を下げる上での大きな障壁となっていました。「品質のためにはコストは仕方ない」というのが、業界の共通認識でした。

量産コスト圧迫の課題
Solution: The Nanosecond Alternative

――ナノ秒レーザーのポテンシャルを引き出す。

Quantecのアプローチは、高価な道具を買うことではなく、物理現象をハックすることです。比較的安価な「ナノ秒レーザー」を用いながら、パルスエネルギーとスキャン速度を厳密に同期することで、超短パルスレーザーを用いた加工と同程度に高品質な加工を実現します。

導入のメリット

  • イニシャルコスト低減: 装置価格を劇的に圧縮し、償却負担を軽減。
  • ランニングコスト低減: 汎用光源のため、保守部品や電気代も抑制。
  • 品質の維持: 超短パルス同等のエッジ品質と、実用的な強度を確保。

対象材料

  • SiC(炭化ケイ素)
  • GaN(窒化ガリウム)
  • AlN(窒化アルミニウム)
  • その他、脆性材料
ナノ秒レーザーによるスクライブ
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